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罐体抛光机硅片内非均匀性进行预测
添加时间:2018-08-19
          罐体抛光机首先应根据有关的抛光参数由式(7)计算出实际接触面积Ap,然后根据式(8)计算出磨粒间距ΔRi,最后根据磨粒轨迹分布,罐体抛光机通过划分区域及计算出小方形区域中的磨粒划痕像素的标准差与平均值,便可用式(9)计算出所要加工的硅片表面材料去除非均匀性大小型抛光机所得硅片内非均匀性最小,A型抛光机所得硅片内非均匀性值较大。该研究结果从硅片表面材料去除非均匀性方面为设计和使用CMP机床、预测CMP过程的硅片内非均匀性、选择和优化CMP变量提供了理论依据。根据CMP设备情况,现以直径200mm硅片为例进行研究。三种抛光机运动参数见表1。根据磨粒在硅片表面的运动轨迹,以ΔRi=1.5mm为增量改变Ri,每颗磨粒以不同的θi0从硅片边缘从t=0时刻随抛光垫运动。通过程序运算,则可求出三种运动形式的硅片内非均匀性值,如表1所示。
         抛光机的硅片内非均匀性值是三个硅片内非均匀性的平均值型抛光机的硅片内非均匀性最大,该抛光机抛光头运动形式简单,产量较高,一般适合于小尺寸硅片加工;B型、C型抛光机的硅片内非均匀性明显小于A型抛光机的硅片内非均匀性,且它们之间相差不大。B型和C型抛光机运动形式复杂,生产量低,一般适合于大尺寸硅片加工。 摘要:分析了目前几种常见的化学机械抛光机中抛光头与抛光垫的运动关系,针对不同的硅片运动形式,计算了磨粒在硅片表面的运动轨迹;通过对磨粒在硅片表面上的运动轨迹分布的统计分析,得出了硅片在不同运动形式下的片内材料去除非均匀性。从硅片表面材料去除非均匀性方面,对几种抛光机的运动形式进行了比较,结果表明,抛光头摆动式抛光机所产生的硅片内非均匀性最小。该研究为化学机械抛光机床的设计和使用中选择和优化运动参数提供了理论依据。