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封头抛光机的运动摩擦学
添加时间:2018-01-29
          封头抛光机运动参量对被抛光硅片平面度的影响规律, 利用坐标变换理论建立摆式抛光运动方程, 封头抛光机基于运动方程和抛光材料去除的 Preston模型, 利用蒙特卡罗法分别对磨料轨迹、硅片表面的抛光相对摩擦长度等进行模拟, 得到摆幅、摆臂初始角和抛光盘转速等对硅片表面切削轨迹和摩擦长度分布的影响规律, 根据模拟结果可以得到最佳化的参数区域, 使硅片表面的材料去除率分布均匀性和轨迹得到改善。在电路制造中, 化学机械抛光技术被广泛应用于硅片表面的局部和全局平坦化。
          根据 CMP过程的材料去除机理, 硅片表面所产生的化学反应膜将由磨粒和抛光垫的机械摩擦作用去除, 对此,方程已经很好地描述这一问题。磨粒在硅片表面的运动轨迹分布的非均匀性, 以及磨粒点对硅片径向的相对摩擦长度在硅片表面的分布, 将反映出硅片表面材料去除的非均匀性和抛光后硅片表面的平面度轮廓。磨粒在硅片表面上的轨迹分布及相对摩擦长度越均匀, 则表面材料去除非均匀性越小, 平面度误差越小。生产实践证明, 硅片表面材料去除越均匀, 则所需要的抛光时间越短, 硅片的面型精度和表面质量越好。